Samsung начал массовое производство второго поколения 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR4X с меньшим энергопотреблением и габаритами

По сравнению с первым поколением таких модулей, новинка обеспечивает на 10% меньшее энергопотребление при сохранении той же скорости передачи данных в 4,266 Мбит/с. Компания Samsung Electronics заявила, что продолжит обновлять свою текущую линейку DRAM-памяти, данный процесс начался в ноябре с выпуском серверной DRAM-памяти 8Gb DDR4 и продолжился выпуском мобильной памяти 16Gb LPDDR4X восемью месяцами позже.

Производитель отметил, что уже опробовал микросхемы ОЗУ емкостью 8 ГБ, объединив четыре модуля 16Gb LPDDR4X DRAM. Такой четырехканальный вариант обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1 ГБ/с, при этом микросхема получилась на 20% тоньше, чем память первого поколения, что позволит производителям смартфонов создавать еще более тонкие устройства. Так как на данный момент 8 ГБ ОЗУ устанавливают только в флагманские модели, Samsung также подготовил модули LPDDR4X-памяти на 4 ГБ и 6 ГБ.